[发明专利]半导体器件

摘要

半导体器件100包括：硅衬底102；N型MOSFET118，其包括在硅衬底102上形成的第一高介电常数膜111和多晶硅膜114；和P型MOSFET 120，其包括在硅衬底102上与N型MOSFET 118并列的第二高介电常数膜112和多晶硅膜114。第二高介电常数膜112被形成为其膜厚较薄于第一高介电常数膜111的膜厚。第一高介电常数膜111和第二高介电常数膜112包含从包括Hf和Zr的组中选择的一种或多种元素。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于包括：半导体衬底；N型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，其包含：第一栅绝缘膜，其形成在所述半导体衬底上，并由含有从包括Hf和Zr的组中选择的一种或多种元素的第一高介电常数膜组成；和第一栅极，其由多晶硅膜组成，所述多晶硅膜设置在所述第一栅绝缘膜上与所述第一高介电常数膜接触；和P型MOSFET，其包含：第二栅绝缘膜，其形成在与所述N型MOSFET并列的所述半导体衬底上，并由含有从包括Hf和Zr的组中选择的一种或多种元素的第二高介电常数膜组成；和第二栅极，其由多晶硅膜组成，所述多晶硅膜设置在所述第二栅绝缘膜上与所述第二高介电常数膜接触，其中所述第二高介电常数膜的膜厚小于所述第一高介电常数膜的膜厚。