[发明专利]纯铜被覆铜箔及其制造方法，及TAB带及其制造方法无效
| 申请号： | 200510071390.2 | 申请日： | 2005-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN1724252A | 公开（公告）日： | 2006-01-25 |
| 发明（设计）人： | 杉冈晶子 | 申请（专利权）人： | 三井金属矿业株式会社 |
| 主分类号： | B32B15/01 | 分类号： | B32B15/01;B32B37/14 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高龙鑫;王颖 |
| 地址： | 日本东京*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种即使对镀锡层进行熔融处理也实质上不产生空隙并且蚀刻性良好的铜箔。为了达到该目的，采用至少在底层铜箔的光泽面上形成有纯铜电镀层的纯铜被覆铜箔。所述纯铜电镀层的厚度为0.3μm或其以上是优选的。采用Cl－离子浓度0.5mg/l或0.5mg/l以下的硫酸－硫酸铜水溶液作为电解液，以底层铜箔侧成为阴极的方式进行电解，在底层铜箔的至少光泽面上形成纯铜电镀层的纯铜被覆铜箔制造方法。上述硫酸－硫酸铜水溶液中的Cu2+离子浓度为40g/l～120g/l、游离的SO42－离子浓度为100g/l～200g/l是优选的。 | ||
| 搜索关键词： | 被覆 铜箔 及其 制造 方法 tab | ||
【主权项】：
1.一种纯铜被覆铜箔，其特征在于，至少在底层铜箔的光泽面上形成有纯铜电镀层。
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