[发明专利]具有MIM元件的半导体器件无效
| 申请号： | 200510071397.4 | 申请日： | 2005-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN1801475A | 公开（公告）日： | 2006-07-12 |
| 发明（设计）人： | 小野田道广 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/04 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺;郑特强 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，具有：半导体衬底；多个半导体元件，形成在该半导体衬底中；金属布线，由第一金属层制成并且形成在该半导体衬底上方；下电极，由该第一金属层制成并且形成在该半导体衬底上方；介电膜，以从该下电极的外围缩回的形状形成于该下电极上；以及上电极，以从该介电膜的外围缩回的形状形成于该介电膜上，其中该下电极、该介电膜和该上电极形成MIM电容器元件。本发明提供了一种具有MIM电容器元件的半导体器件及其制造方法，该MIM电容器元件能够尽可能多地抑制漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 mim 元件 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；多个半导体元件，形成在所述半导体衬底中；金属布线，由第一金属层制成并且形成在所述半导体衬底上方；下电极，由所述第一金属层制成并且形成在所述半导体衬底上方；介电膜，以从所述下电极的外围缩回的形状形成于所述下电极上；以及上电极，以从所述介电膜的外围缩回的形状形成于所述介电膜上，其中，所述下电极、所述介电膜和所述上电极形成MIM电容器元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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