[发明专利]成像装置及其设置方法有效
申请号: | 200510071647.4 | 申请日: | 2005-03-01 |
公开(公告)号: | CN1758439A | 公开(公告)日: | 2006-04-12 |
发明(设计)人: | 若野寿史;马渕圭司 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 马高平;杨梧 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种CMOS传感器的光学系统,该系统包括使出射光瞳距在成像平面的中心区域短而在成像平面的外围区域长的一非球面透镜。非球面透镜起到使得出射光瞳距从成像平面的中心区域朝着成像平面的外围区域单调增大。另外,根据出射光瞳距d进行光瞳校正,所述出射光瞳距d满足(d1+d2)/2<d<d2,该式中d1是成像平面中心处的出射光瞳距,d2是成像平面边缘处的出射光瞳距。 | ||
搜索关键词: | 成像 装置 及其 设置 方法 | ||
【主权项】:
1、一成像装置,其包括:一固态成像装置,其包括一光接收单元,在该单元上集成着多个具有光电转换器的像素;芯片上透镜,其与所述像素相对应地设置在所述光接收单元的一成像平面上;以及一光学系统,其控制入射在所述光接收单元上的光,该光学系统包括一孔径和一非球面透镜,所述孔径控制入射在所述光接收单元上的光强,所述非球面透镜设置在所述光接收单元与所述孔径之间,并控制入射光,使出射光瞳距在所述成像平面的中心区域短而在成像平面的外围区域长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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