[发明专利]激光照射装置和使用激光照射装置制造半导体器件的方法有效

专利信息
申请号: 200510071659.7 申请日: 2005-03-25
公开(公告)号: CN1758417A 公开(公告)日: 2006-04-12
发明(设计)人: 田中幸一郎;山本良明;上坂奈己 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/268;H01L21/20;H01L21/324;H01L21/336;B23K26/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 刘红;梁永
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明的一个目的是提供一种与传统的照射方法相比能够精确控制激光束的照射位置的激光照射方法。本发明的另一目的是提供一种使用这种能够用激光束精确照射大衬底的激光照射方法来制造半导体器件的方法。激光束的照射位置是通过使用发出激光束的激光振荡器、使激光束在照射对象上形成为矩形的光学系统、相对于激光束在束斑的长边方向和短边方向上移动照射对象的机构、在长边方向上比在短边方向上更缓慢地移动照射对象的机构、以及激光定位机构来控制的。
搜索关键词: 激光 照射 装置 使用 制造 半导体器件 方法
【主权项】:
1.一种激光照射装置,包括:发出激光束的激光振荡器;用来使激光束在照射对象的表面上形成为具有短边和长边的拉长束斑的光学系统;在束斑的长边方向和短边方向上相对于激光束移动照射对象的机构;相对于激光束在束斑的长边方向上比在束斑的短边方向上更缓慢地移动照射对象的机构;以及激光定位机构;其中激光定位机构包括用来控制照射对象相对于激光束沿束斑的长边方向移动的机构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510071659.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top