[发明专利]包括有均匀分布的硅纳米点的栅的存储器的制造方法无效
| 申请号： | 200510071668.6 | 申请日： | 2005-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN1702852A | 公开（公告）日： | 2005-11-30 |
| 发明（设计）人： | 柳寅儆;郑守桓;柳元壹 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8239 | 分类号： | H01L21/8239;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 魏晓刚;李晓舒 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制造存储器的方法，该存储器包括具有均匀分布的硅纳米点的栅。该方法包括：在衬底上形成栅，该栅具有绝缘薄膜，还具有在该绝缘薄膜中顺序叠放并且以预定距离彼此隔开的纳米点层和导电薄膜图案；在衬底中形成源区和漏区；以及分别在源区和漏区形成第一和第二金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 均匀分布 纳米 存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造存储器的方法，包括：在衬底上形成栅，所述栅包括绝缘薄膜，还包括在所述绝缘薄膜中以预定距离彼此隔开并顺序叠放的纳米点层和导电薄膜图案；在所述衬底中形成源区和漏区；以及分别在所述源区和漏区上形成第一和第二金属层。
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