[发明专利]使用薄的、高速液体层处理晶片表面的方法和装置有效
| 申请号： | 200510071758.5 | 申请日： | 2005-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN1707759A | 公开（公告）日： | 2005-12-14 |
| 发明（设计）人： | M·拉金;M·G·R·史密斯;J·M·德拉里奥斯;F·雷德克;M·科罗里克;C·迪皮伊特罗 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨松龄 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在许多实施例之中的一个实施例中，公开了一种处理衬底的方法，其包括：在衬底表面产生液体层，液体层限定液体弯月面。这种产生包括移动头部以接近表面，当头部接近衬底表面时从头部给表面提供液体以限定液体层，和用真空通过接近的头部从表面去除液体。液体沿着在头部和衬底之间的液体层以增加头部更接近表面的速度流动。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 高速 液体 处理 晶片 表面 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种处理衬底的方法，包括：在衬底表面产生液体层，液体层限定出液体弯月面，这种产生包括移动头部以接近表面；当头部接近衬底表面时从头部给表面提供液体以限定液体层；和用真空通过接近的头部从表面去除液体；其中，液体沿着在头部和衬底之间的液体层以增加头部更接近表面的速度流动。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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