[发明专利]一种快响应宽频段光探测器无效
| 申请号： | 200510071811.1 | 申请日： | 2005-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN1869612A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 赵昆;吕惠宾;黄延红;何萌;金奎娟;陈正豪;周岳亮;杨国桢 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | G01J1/42 | 分类号： | G01J1/42;G01J9/00;G01J11/00 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高存秀 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种快响应宽频段光探测器，包括：p型或n型硅片为衬底；在其上相应生长一层n型或p型的光响应材料层做成芯片，所述的光响应层为生长在硅片衬底上的掺杂钛酸锶薄膜，该掺杂钛酸锶光响应材料层厚度为0.5nm－5μm；第一电极设置在光响应材料层上，第二电极设置在硅片面上，每根电极引线的一端分别与二个电极连接，电极引线的另一端是信号输出端；电阻的两端分别和电极引线的输出端连接。该探测器均为光生伏特型，当光照射后直接产生电压信号，不需要任何辅助的电源和电子电路。其响应波段从紫外到远红外，可响应飞秒脉宽的激光脉冲，激光脉冲产生电压脉冲的前沿小于1ns，半宽度小于2ns，脉冲全宽度仅为几个ns。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 响应 宽频 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种快响应宽频段光探测器，包括：p型或n型硅片为衬底(1)；在其上相应生长一层n型或p型的光响应材料层(2)做成芯片，第一电极(3)、第二电极(4)和两根引线(6)；其特征在于：还包括一电阻(5)；所述芯片的光响应层(2)为生长在硅片衬底(1)上的掺杂钛酸锶薄膜，该掺杂钛酸锶光响应材料层(2)厚度为0.5nm-5μm；第一电极(3)设置在光响应材料层(2)上，第二电极(4)设置在硅片(1)面上，两根电极引线(6)的一端分别与第一电极(3)和第二电极(4)连接，电极引线(6)的另一端是信号输出端；电阻(5)的两端分别和两根电极引线(6)的输出端连接。
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