[发明专利]半导体元件及其制造方法与记忆体元件及其操作方法有效
| 申请号： | 200510071922.2 | 申请日： | 2005-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN1828935A | 公开（公告）日： | 2006-09-06 |
| 发明（设计）人： | 吴旻达;吕函庭 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/105;H01L27/112;H01L27/115;H01L21/8246;H01L21/8247;G11C11/34;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种半导体元件及其制造方法与记忆体元件及其操作方法，该半导体元件包括一具有第一传导性型的一半导体基板。此半导体基板包括第一扩散区域、第二扩散区域以及通道区域。其中第一扩散区域具有第一传导性型，而第二扩散区域具有第一传导性型，以及通道区域其位于第一扩散区域和第二扩散区域之间。此半导体元件还包括控制闸极以及至少一次闸极(sub－gate)，控制闸极位于通道区域的上面，而至少一次闸极位于第一和第二扩散区域的上面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 记忆体 操作方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体元件，其特征在于其包括：一半导体基板，具有一第一传导性型，该半导体基板包括：一第一扩散区域，具有该第一传导性型；一第二扩散区域，具有该第一传导性型；以及一通道区域，其位于该第一扩散区域和该第二扩散区域之间；一控制闸极，其位于该通道区域的上面；以及至少一次闸极，其位于该第一和第二扩散区域的上面。
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