[发明专利]快闪记忆体及其制造方法有效
申请号: | 200510071980.5 | 申请日: | 2005-05-25 |
公开(公告)号: | CN1870270A | 公开(公告)日: | 2006-11-29 |
发明(设计)人: | 吴俊沛;陈辉煌;蔡文彬 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/105 | 分类号: | H01L27/105;H01L21/8246 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明是有关于一种快闪记忆体及其制造方法。该快闪记忆体,是由基底、控制闸极、沟渠、源极区、隔离结构、汲极区、一共同源极线、浮置闸极、穿隧介电层与闸间介电层构成。控制闸极以第一方向排列于基底上,沟渠则以第二方向排列于基底表面。而源极区是在控制闸极一侧的基底与沟渠内,隔离结构则填满源极区之间的沟渠,且汲极区是位于控制闸极的另一侧的隔离结构间的基底内。共同源极线则以第二方向排列在基底内,其中共同源极线与源极区电性相连。再者,浮置闸极位于源极区与汲极区之间的基底与控制闸极间、穿隧介电层位于浮置闸极与基底间以及闸间介电层是在浮置与控制闸极之间。 | ||
搜索关键词: | 记忆体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种快闪记忆体,其特征在于其包括;一基底;多数条控制闸极,以一第一方向排列于该基底上;多数条沟渠,以一第二方向排列于该基底表面;多数条源极区,位于各该控制闸极的一第一侧的该基底与该些沟渠内;多数个隔离结构,分别填满该些源极区之间的该些沟渠;多数个汲极区,分别位于各该控制闸极的一第二侧的该些隔离结构间的该基底内;一共同源极线,以该第二方向排列在该基底内,其中该共同源极线与该些源极区电性相连;多数个浮置闸极,位于该些源极区与该些汲极区之间的该基底与该些控制闸极之间;多数个穿隧介电层,位于该些浮置闸极与该基底之间;以及一闸间介电层,位于该些浮置闸极与该些控制闸极之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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