[发明专利]保护电路、半导体元件或集成电路以及记忆体元件有效
| 申请号： | 200510071982.4 | 申请日： | 2005-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN1805140A | 公开（公告）日： | 2006-07-19 |
| 发明（设计）人： | 周铭宏;吕文彬 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L27/00;H01L27/10;H01L29/78;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种保护电路包含P型金属氧化半导体晶体管和二极管，使位于半导体装置或集成电路中的电浆－感应电荷放电。P型金属氧化半导体晶体管包含基底、汲极、源极和闸极，源极连接以接受电浆－感应电荷。二极管有与P型金属氧化半导体晶体管的基底相连的正极，以及与P型金属氧化半导体晶体管的闸极相连的负极。 | ||
| 搜索关键词： | 保护 电路 半导体 元件 集成电路 以及 记忆体 | ||
【主权项】：
1.一种使位于半导体装置或集成电路的电浆-感应电荷放电的保护电路，其特征在于其包括：一P型金属氧化半导体晶体管，其具有一基底、一汲极、一源极和一闸极，且源极被连接以接受该电浆-感应电荷；以及一二极管，具有一正极和一负极，该正极与该P型金属氧化半导体晶体管的该基底连接，该负极与该P型金属氧化半导体晶体管的该闸极连接。
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