[发明专利]线性磁场传感器及其制作方法有效
| 申请号： | 200510072052.0 | 申请日： | 2005-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN1687802A | 公开（公告）日： | 2005-10-26 |
| 发明（设计）人： | 王磊;韩秀峰;李飞飞;姜丽仙;张谢群;詹文山 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | G01R33/06 | 分类号： | G01R33/06;H01L43/00;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种隧道结线性磁场传感器及其制作方法：在沉积非磁性层时在主溅射腔内原位更换掩膜，即在沉积时利用掩膜挡住第1、3自旋阀元件或第2、4自旋阀元件上非磁性层的溅射，造成第1、3自旋阀元件或第2、4自旋阀元件上非磁性层的厚度较薄或较厚，然后再拿掉掩膜，溅射上其余的自旋阀元件材料。本发明可以在一次沉积中即可实现桥式磁性传感器中的4个自旋阀元件中的两个其钉扎层的方向与另外两个自旋阀元件的顶扎层方向相反，实现传感器对外磁场的线性感应，即不需要设置电流偏磁法，也不用设置永磁体偏磁法，大大简化了制备工艺，可以有效地提高产品的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 线性 磁场 传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种线性磁场传感器制作方法，其特征在于，采用如下步骤：在沉积非磁性层时在主溅射腔内原位更换掩膜，即在沉积时利用掩膜挡住第1、3自旋阀元件或第2、4自旋阀元件上非磁性层的溅射，造成第1、3自旋阀元件或第2、4自旋阀元件上非磁性层的厚度较薄或较厚，然后再拿掉掩膜，溅射上其余的自旋阀元件材料。
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