[发明专利]成膜装置及利用成膜装置的成膜系统无效
申请号: | 200510072223.X | 申请日: | 2005-05-20 |
公开(公告)号: | CN1757790A | 公开(公告)日: | 2006-04-12 |
发明(设计)人: | 北原大 | 申请(专利权)人: | 株式会社岛津制作所 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;H01L21/205 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明是有关于一种成膜装置及利用成膜装置的成膜系统,能够缩短因对成膜装置的电极及其周边部进行清洁而造成的成膜装置停止时间,并可提高成膜工程的生产效率。在需要对等离子CVD装置的电极及其周边部进行清洁的情况下,利用交换装置拆除等离子CVD装置的开口密闭构件。然后,利用交换装置安装新品或清洁完毕的开口密闭构件,取代拆除的开口密闭构件。 | ||
搜索关键词: | 装置 利用 系统 | ||
【主权项】:
1、一种成膜装置,为一种利用基板和电极间的放电作用而在前述基板上成膜的成膜装置,包括:具有开口部并收纳前述基板的容器;以及可装卸地设置在前述开口部上的用于密闭前述开口部的开口密闭构件;其特征在于:前述电极与前述容器内所收纳的前述基板对向安装,且前述电极可与前述开口密闭构件成一体的进行交换。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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