[发明专利]局部金属硅化的取代栅极

摘要

一种完全金属硅化的取代栅极的形成工艺，用以制造出含有均匀厚度的金属硅化的栅极。首先，形成栅极介电质于基材之上。之后，形成含硅层于栅极介电质之上。接着，形成介电层于含硅层之上。然后，形成顶层于介电层之上。将栅极介电质、含硅层、介电层与顶层图案化为栅极堆，再沿着此栅极堆的一边形成间隙壁。最后去除顶层与介电层，之后再沉积金属层在含硅层之上并且硅化此金属层。

主权项

1.一种集成电路，其特征是该集成电路至少包含：多个第一晶体管；多个第二晶体管；其中，每一上述第一晶体管与第二晶体管分别包含栅极，该栅极包含实质上完全金属硅化的栅极电极，该栅极电极包含顶表面、栅极介电质以及间隙壁，该间隙壁包含顶边；其中，每一上述第一晶体管与第二晶体管的该栅极电极包含一厚度，该厚度低于相对应的该间隙壁的高度；以及其中，该第一晶体管的该栅极电极的该厚度与该第二晶体管的该栅极电极的该厚度相同。