[发明专利]存储器装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种存储器装置及其制造方法。在一实施型态中，该存储器装置包括多个晶体管，各晶体管包括：多个掺杂区其中一区的一部分，而该掺杂区形成于基材中；以及多个第一导体其中一导体的一部分，该第一导体皆延伸于该多个掺杂区其中一区之上，而该多个第一导体包括于第一金属层中。该存储器装置还包括第二金属层，其包括多个第二导体，该第二导体皆作为部分该多个晶体管的内连线。该存储器装置还包括第三金属层，其包括多个位元线，该位元线皆作为部分该多个晶体管的内连线。该存储器装置还包括第四金属层，其包括多个字元线，该字元线皆作为部分该多个晶体管的内连线。

主权项

1、一种存储器装置，包括：多个晶体管，其中各晶体管皆包括下述组件：多个掺杂区其中一区的至少一部份，该掺杂区形成于一基材中；以及多个第一导体其中一导体的至少一部份，该第一导体皆延伸于该多个掺杂区其中一区之上，而该多个第一导体包括于第一金属层中；第二金属层，包括多个第二导体，该第二导体皆作为部份该多个晶体管的内连线；第三金属层，包括多个位元线，该位元线皆作为部份该多个晶体管的内连线；第四金属层，包括多个字元线，该字元线皆作为部份该多个晶体管的内连线。