[发明专利]一种钼基合金及其制备方法无效
| 申请号： | 200510072589.7 | 申请日： | 2005-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN1676648A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 王治国;张新辉;孔祥华 | 申请（专利权）人： | 王治国;张新辉;孔祥华 |
| 主分类号： | C22C27/04 | 分类号： | C22C27/04;C22C1/05;B22F3/12 |
| 代理公司： | 本溪新科专利事务所 | 代理人： | 何军 |
| 地址： | 325024浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种钼基合金及其制备方法，该钼基合金的组分及重量比为：氢化锆、碳、颗粒小于0.6微米以下的碳化钛分别为0.1％－0.8％、0.1％－0.8％、0.4％－2.2％，和颗粒小于40纳米以下的稀土氧化物0.5％－2.5％，其余量为钼。将上述组分的物料经均质、压制和烧结工序制成该钼基合金。该钼基合金可强化固溶体，使其形成弥散的碳化物相，提高了固溶体晶体晶格的键合力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种钼基合金，其特征在于：该钼基合金的组分及重量比为：氢化锆、碳、颗粒小于0.6微米以下的碳化钛分别为0.1％-0.8％、0.1％-0.8％、0.4％-2.2％，和颗粒小于40纳米以下的稀土氧化物0.5％-2.5％，其余量为钼。
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