[发明专利]鳍型场效应晶体管二极管结构及其制造方法无效
申请号: | 200510072702.1 | 申请日: | 2005-05-17 |
公开(公告)号: | CN1750268A | 公开(公告)日: | 2006-03-22 |
发明(设计)人: | 理查德·L·唐泽;卡尔·R·埃里克森;威廉·P·霍维斯;约翰·E·希茨第二;乔恩·R·泰茨洛夫;劳拉·M·朱布伦恩 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L29/772 | 分类号: | H01L29/772;H01L29/861;H01L21/335;H01L21/329 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 美国纽*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供了一种FinFET二极管结构和用于构建所述FinFET二极管结构的方法。通过用P+掺杂剂在第一侧并用N+掺杂剂在第二侧注入扩散鳍以提供P+N+二极管结构,来制造FinFET二极管结构。 | ||
搜索关键词: | 场效应 晶体管 二极管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种FinFET二极管结构,包括:垂直定向的扩散鳍,所述扩散鳍具有第一侧和第二侧;在所述扩散鳍的第一侧上的P+掺杂剂注入;以及在所述扩散鳍的第二侧上的N+掺杂剂注入,所述P+掺杂剂注入和所述N+掺杂剂注入提供了P+N+二极管结构。
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