[发明专利]鳍型场效应晶体管二极管结构及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200510072702.1 申请日: 2005-05-17
公开(公告)号: CN1750268A 公开(公告)日: 2006-03-22
发明(设计)人: 理查德·L·唐泽;卡尔·R·埃里克森;威廉·P·霍维斯;约翰·E·希茨第二;乔恩·R·泰茨洛夫;劳拉·M·朱布伦恩 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: H01L29/772 分类号: H01L29/772;H01L29/861;H01L21/335;H01L21/329
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波;侯宇
地址: 美国纽*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种FinFET二极管结构和用于构建所述FinFET二极管结构的方法。通过用P+掺杂剂在第一侧并用N+掺杂剂在第二侧注入扩散鳍以提供P+N+二极管结构,来制造FinFET二极管结构。
搜索关键词: 场效应 晶体管 二极管 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种FinFET二极管结构,包括:垂直定向的扩散鳍,所述扩散鳍具有第一侧和第二侧;在所述扩散鳍的第一侧上的P+掺杂剂注入;以及在所述扩散鳍的第二侧上的N+掺杂剂注入,所述P+掺杂剂注入和所述N+掺杂剂注入提供了P+N+二极管结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司,未经国际商业机器公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510072702.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top