[发明专利]光电转换装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200510072744.5 | 申请日： | 2005-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN1700479A | 公开（公告）日： | 2005-11-23 |
| 发明（设计）人： | 松山久;北村勇也 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/00 | 分类号： | H01L31/00;H01L31/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可以排除不必要的红外线光，且提高可靠性的光电转换装置。本发明的光电转换装置包括：在表面上形成了光电转换元件的半导体基板(30)；以覆盖半导体基板(30)表面的至少一部分的方式设置的可见光滤波器(34)；粘接在半导体基板(30)表面上的上部支撑基体(42)；上部支撑基体(42)用吸收红外线光的树脂层(42b)粘接了多个具有透光性的基体(42a)。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种光电转换装置，其中包括：在表面形成了光电转换元件的半导体基板；以覆盖所述半导体基板表面的至少一部分的方式设置的可见光滤波器；和粘接在所述半导体基板表面上的支撑基体，其特征在于，所述支撑基体是用吸收红外线光的树脂材料粘接了多个具有透光性的基体的部件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
