[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200510072745.X | 申请日： | 2005-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN1700460A | 公开（公告）日： | 2005-11-23 |
| 发明（设计）人： | 民田浩靖 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/52;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件，所述设备能够抑制焊球和导电薄膜之间的界面断裂。本发明的半导体器件，当“a”表示与绝缘树脂层105接触的表面中的焊球108的终端部分和通路104的上部周边之间的距离，“b”表示UBM薄膜107的终端部分和通路104的上部周边之间的距离时，半导体器件满足0＜a/b≤2。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：连接层；设置在所述连接层上方的绝缘薄膜，所述绝缘薄膜上设置有到达所述连接层的孔；在所述孔的底部与所述连接层接触的导电薄膜，所述导电薄膜从所述孔的底部延伸到所述孔的外部；和焊球，该焊球与所述导电薄膜和所述绝缘薄膜接触；其中，当“a”表示与所述绝缘薄膜接触的表面中的焊球的终端部分和所述孔的上部周边之间的距离，“b”表示所述孔的深度时，a/b的值不超过2。
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