[发明专利]非易失半导体存储装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种非易失半导体存储装置及其制造方法。本发明的目的在于：对于将电荷捕获层利用在存储元件中的非易失半导体存储装置，防止在制造工序中产生的紫外线所造成的影响。非易失半导体存储装置，包括：非易失半导体存储元件，其由在衬底上形成的含有电荷捕获层的栅极绝缘膜(112)、形成在栅极绝缘膜(112)上的栅极电极(100)、以及夹着栅极电极(100)形成在衬底表面层的作为源极或者漏极发挥作用的一对扩散层(102)构成；和第1导体(104)，其将一对扩散层(102)电连接。栅极电极(100)中的与一对扩散层(102)对着的端部，从平面上来看，被第1导体(104)部分地覆盖。

主权项

1、一种非易失半导体存储装置，包括：非易失半导体存储元件，其由在衬底上形成的含有电荷捕获层的栅极绝缘膜、形成在上述栅极绝缘膜上的栅极电极以及夹着上述栅极电极形成在上述衬底表面层的作为源极或者漏极发挥作用的一对扩散层构成；和第1导体，其将上述非易失半导体存储元件的上述一对扩散层电连接，其特征在于：上述栅极电极中的与上述非易失半导体存储元件的上述一对扩散层对着的端部，从平面上来看，被上述第1导体部分覆盖。