[发明专利]电压电平变换电路无效

专利信息
申请号: 200510072790.5 申请日: 2005-05-20
公开(公告)号: CN1700600A 公开(公告)日: 2005-11-23
发明(设计)人: 平野博茂 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185;H03K19/0175
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 曲瑞
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种电压电平变换电路,可以较低的低电源电压VDD2使将具有与高电源电压VDD1对应的逻辑电压电平的输入信号变换为具有与低电源电压VDD2对应的逻辑电压电平的信号后输出的电压电平变换电路动作。该变换电路具有将VDD1系统的输入信号变换为VDD2系统信号的电平变换部和使电平变换后的输入信号反相后输出的否定电路,构成电平变换部的VDD1系统的两个否定电路的输出仅输入电平变换部的两个耐高压晶体管中,向电平变换部的两个耐低压晶体管输入具有与低电源电压VDD2对应的逻辑电压电平的信号,还向电平变换部后级的否定电路仅输入由电平变换部进行了电平变换后的输入信号。
搜索关键词: 电压 电平 变换 电路
【主权项】:
1、一种电压电平变换电路,将具有与第1电源电压对应的逻辑电压电平的输入信号变换为具有与比所述第1电源电压低的第2电源电压对应的逻辑电压电平的输出信号后输出,其特征在于:在所述第2电源电压与接地电压之间,以第2电源电压为耐压的第1P沟道型MOS晶体管和以第1电源电压为耐压的第1N沟道型MOS晶体管相互串联连接,在所述第2电源电压与接地电压之间,以第2电源电压为耐压的第2P沟道型MOS晶体管和以第1电源电压为耐压的第2N沟道型MOS晶体管相互串联连接,所述第1P沟道型MOS晶体管与所述第1N沟道型MOS晶体管的第1连接点连接于所述第2P沟道型MOS晶体管的栅极上,所述第2P沟道型MOS晶体管与所述第2N沟道型MOS晶体管的第2连接点连接于所述第1P沟道型MOS晶体管的栅极上,所述第2连接点向由所述第2电源电压驱动的电路提供所述输出信号。
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