[发明专利]使用超临界流体修正多孔性有机材料表面的方法及产物有效
| 申请号： | 200510072820.2 | 申请日： | 2005-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN1702842A | 公开（公告）日： | 2005-11-30 |
| 发明（设计）人： | 王静亚;庄平;巫尚霖;林俞良;涂宏荣;周梅生;罗冠腾 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312;H01L21/47;H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王玉双;潘培坤 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种例如用于集成电路的多孔性低介电常数(K)介电材质层的有机层，其表面具有具开口的孔洞。为了封闭这些孔洞，有机层会与一超临界流体接触，而且超临界流体是一种适用于有机层的溶剂。在小量的表面及孔洞的壁面被溶解后，被溶解的有机材料的相转变会在表面发生，产生一相对致密、平坦且无孔的薄膜覆盖表面，而封闭具开口的孔洞。由此，使得其表面平坦或无孔，且使得基体或薄膜的机械强度更佳。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 临界 流体 修正 多孔 有机 材料 表面 方法 产物 | ||
【主权项】：
1.一种在有孔结构表面上产生一致密的薄膜的方法，包含：提供一结构表面具有具开口的一个或多个孔洞；以一超临界流体接触该表面，其中该超临界流体包括一溶剂，以溶合该表面和所述孔洞的壁面而形成一溶合有机材料；以及相转变该溶合有机材料，以在该表面上形成一致密薄膜，由此覆盖所述孔洞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
