[发明专利]固态成像装置和采样电路无效
| 申请号： | 200510072864.5 | 申请日： | 2005-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN1725502A | 公开（公告）日： | 2006-01-25 |
| 发明（设计）人： | 米本和也 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/14 | 分类号： | H01L27/14;H01L27/146;H04N5/335 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种防止固定图形噪声出现的固态成像装置，由采样电路本身的不均匀性引起在列方向(或行方向)中具有相关性的固定图形噪声。固态成像装置包括采样电路，其中对来自光电二极管PD的信号进行采样。并且，采样电路包括：采样电容器CSH，用于保持来自光电二极管PD的信号；采样MOS开关M12，(i)将来自光电二极管PD的信号传送到采样电容器CSH，或(ii)阻断传输；以及阻尼电容器CDS，连接到(i)更靠近采样电容器CSH的采样MOS开关M12的源极电极和漏极电极中的一个，和(ii)采样MOS开关M12的栅极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 成像 装置 采样 电路 | ||
【主权项】：
1、一种固态成像装置，包括其中对来自光电二极管的信号进行采样的采样电路，其中所述采样电路包括：采样电容器，用于保持该信号；采样金属氧化物半导体(MOS)开关，其是(i)将该信号传输到所述采样电容器，或(ii)阻断所述传输的MOS晶体管；以及第一阻尼电容器，连接到(i)所述采样MOS开关的源极电极和漏极电极中的一个电极，所述这一个电极更靠近所述采样电容器，以及(ii)所述采样MOS开关的栅极电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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