[发明专利]功率结场效应晶体管结构及其制法

摘要

本发明为一种功率结场效应晶体管结构及其制法，其制法包含步骤：(a)提供衬底，其具有外延层；(b)形成氧化层于外延层上；(c)进行第一次光刻蚀刻，以形成栅极总线及保护环开口；(d)注入第一掺杂物，以形成栅极总线阱区及保护环区；(e)进行第二次光刻蚀刻，以形成双栅极开口；(f)注入一第二掺杂物，以于外延层上形成至少一双栅极及一栅极总线；(g)形成介电质层于氧化层上；(h)进行第三次光刻蚀刻，以形成源极层开口；(i)注入一第三掺杂物，以于双栅极上形成源极层；(j)进行第四次光刻蚀刻，以形成栅极总线金属结开口；以及(k)沉积金属层，并进行第五次光刻蚀刻，以形成栅极总线金属层及源极金属层，分别连接栅极总线及源极层。

主权项

1.一种制造结场效应晶体管结构的方法，其步骤包含：(a)提供一衬底，其上具有一外延层；(b)形成一氧化层于该外延层的表面；(c)进行一第一次光刻蚀刻制造过程，部分蚀刻该氧化层，以形成一栅极总线开口及一保护环开口；(d)通过该栅极总线开口及该保护环开口，注入一第一掺杂物，以于该外延层分别形成一栅极总线阱区及一保护环区；(e)进行一第二次光刻蚀刻制造过程，部分蚀刻该氧化层，以形成一双栅极开口；(f)通过该栅极总线开口及该双栅极开口，注入一第二掺杂物，以于该外延层上形成至少一双栅极及一栅极总线；(g)形成一介电质层于该氧化层上；(h)进行一第三次光刻蚀刻制造过程，部分蚀刻该介电质层及该氧化层，以形成一源极层开口；(i)通过该源极层开口，注入一第三掺杂物，以于该双栅极上形成一源极层；(j)进行一第四次光刻蚀刻制造过程，部分蚀刻该介电质层及该氧化层，以形成一栅极总线金属结开口；以及(k)沉积一金属层，并进行一第五次光刻蚀刻制造过程，部分蚀刻该金属层，以形成一栅极总线金属层及一源极金属层，分别连接该栅极总线及该源极层。