[发明专利]场发射显示器及其制造方法无效
申请号: | 200510072906.5 | 申请日: | 2005-05-23 |
公开(公告)号: | CN1700400A | 公开(公告)日: | 2005-11-23 |
发明(设计)人: | 韩仁泽;吴泰植;金夏辰;安德烈·朱尔卡尼夫;金钟玟 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | H01J31/12 | 分类号: | H01J31/12;H01J29/02;H01J29/46;H01J9/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 李晓舒;魏晓刚 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供了一种场发射显示器及其制造方法。该场发射显示器包括:衬底;在衬底的顶面上相互平行地形成的多个底栅极电极;在底栅极电极的上面部分上垂直于底栅极电极形成的多个阴极电极,在阴极电极的与底栅极电极相交的部分中形成各个阴极孔;在阴极电极上相对于阴极孔的中心对称形成的多个发射极;及在阴极孔的中心部分形成的与底栅极电极电连接的多个栅极电极。 | ||
搜索关键词: | 发射 显示器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种场发射显示器,包括:衬底;在衬底的顶面上相互平行地形成的多个底栅极电极;在所述底栅极电极的上面部分上垂直于所述底栅极电极形成的多个阴极电极,各个阴极孔形成在所述阴极电极的与所述底栅极电极相交的部分中;多个发射极,其在所述阴极电极上相对于所述阴极孔的中心对称形成;及所述阴极孔的中心部分中的多个栅极电极,其形成为与所述底栅极电极电连接。
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