[发明专利]一种高光功率密度808nm大功率量子阱半导体激光器

摘要

本发明涉及半导体激光器技术领域，一种高光功率密度808nm大功率量子阱半导体激光器结构提出了一种高光功率密度808nm大功率量子阱半导体激光器结构，包括衬底1，缓冲层2，N型下限制层3，下波导层4，下垒层5，量子阱层6，上垒层7，上波导层8，P型上限制层9，过渡层10，电极接触层11。它能够得到高质量的外延片材料，降低波导层和限制层材料的铝组分，从而提高激光器的输出光功率密度。

主权项

1、一种高光功率密度808nm大功率量子阱半导体激光器结构，其特征在于，包括：一衬底(1)，该衬底用于在其上进行激光器各层材料外延生长，衬底是(100)面的N型镓砷；一缓冲层(2)，该缓冲层制作在衬底(1)上，为N-镓砷材料；一N型下限制层(3)，该N型下限制层制作在缓冲层(2)上，为N-铝镓砷材料；一下波导层(4)，该下波导层制作在下限制层(3)上，为N-铝镓砷材料；一下垒层(5)，该下垒层制作在下波导层(4)上，为铟镓砷磷材料；一量子阱层(6)，该量子阱层制作在下垒层(5)上，为镓砷磷材料；一上垒层(7)，该上垒层制作在量子阱层(6)上，为铟镓砷磷材料；一上波导层(8)，该上波导层制作在上垒层(7)上，为P-磷镓砷材料；一P型上限制层(9)，该P型上限制层制作在上波导层(8)上，为P-铝镓砷材料；一过渡层(10)，该过渡层制作在P型上限制层(9)上，为P-镓砷材料；一电极接触层(11)，该电极接触层(11)制作在过渡层(10)之上，为P-镓砷材料。