[发明专利]具有铁电电容器的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件，包括：半导体衬底；MOS晶体管，形成在所述半导体衬底中，并具有绝缘栅以及所述绝缘栅两侧的源/漏区；铁电电容器，形成在所述半导体衬底上方，并具有下电极、铁电层及上电极；金属膜，形成在所述上电极上，并且其厚度为所述上电极厚度的一半或更薄；层间绝缘膜，埋置所述铁电电容器及所述金属膜；导电栓，形成为穿过所述层间绝缘膜、到达所述金属膜，并包括导电胶膜和钨体；以及铝接线，形成在所述层间绝缘膜上，并连接至所述导电栓。本发明解决了在F电容器上采用W栓而可能产生的靠近上电极接触的新问题。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；MOS晶体管，形成在所述半导体衬底中，并具有绝缘栅以及所述绝缘栅两侧的源/漏区；铁电电容器，形成在所述半导体衬底上方，并具有下电极、铁电层及上电极；金属膜，形成在所述上电极上，并且其厚度为所述上电极厚度的一半或更薄；层间绝缘膜，埋置所述铁电电容器及所述金属膜；导电栓，形成为穿过所述层问绝缘膜、到达所述金属膜，并包括导电胶膜和钨体；以及铝接线，形成在所述层间绝缘膜上，并连接至所述导电栓。