[发明专利]非挥发性记忆体及其操作方法有效
| 申请号： | 200510073020.2 | 申请日： | 2005-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN1870272A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 许正兴;连浩明 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L27/105;H01L21/8247;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种非挥发性记忆体，含有多个记忆胞，各记忆胞具有一闸极结构、一对储存单元及二辅助闸极。其中，闸极结构设置于基底上。而储存单元设置于闸极结构两侧的侧壁上。另外，辅助闸极设置于闸极结构两侧，与闸极结构侧壁上的储存单元相邻接。每一辅助闸极由相邻二个记忆胞所共用，且闸极结构、储存单元及辅助闸极彼此之间为电性隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 记忆体 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1、一种非挥发性记忆体，其特征在于其含有多个记忆胞，每一该些记忆胞包括：一闸极结构，设置于一基底上；一对储存单元，设置于该闸极结构两侧的侧壁上；以及二辅助闸极，设置于该闸极结构两侧，与该闸极结构侧壁上的些储存单元相邻接，每一该些辅助闸极由相邻二个记忆胞所共用，其中该闸极结构、该储存单元及该些辅助闸极彼此之间为电性隔离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510073020.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
