[发明专利]内吸杂的异质外延半导体晶片及其制造方法无效
| 申请号： | 200510073150.6 | 申请日： | 2005-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN1796620A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | M·R·西克瑞斯特;G·M·威尔逊;R·W·斯坦德利 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/00 | 分类号： | C30B29/00;C30B29/06;C30B29/08;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 马江立;秘凤华 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种异质外延半导体晶片，其包括一形成该晶片的正面的异质外延层，该异质外延层包含一种其晶体结构与该晶片的主要材料不同的次要材料。该异质外延层基本上没有缺陷。一表面层包含该主要材料而不含该次要材料。该表面层与该异质外延层邻接。一主体层包含该主要材料而不含该次要材料。该主体层与该表面层邻接并延伸通过该中心平面。本发明公开了一种SOI晶片和一种制造晶片的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 内吸杂 外延 半导体 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种异质外延半导体晶片，该晶片具有一正面和一背面，一位于该正面和背面中间的中心平面，以及一连接该正面和背面的周边，该晶片包含一种主要材料，该晶片包括：一形成该晶片的正面的异质外延层，该异质外延层包含一种其晶体结构与该主要材料不同的次要材料；该异质外延层基本上没有缺陷，并且其厚度至少为5纳米；一包含该主要材料而不包含该次要材料的表面层，该表面层与该异质外延层邻接并沿径向延伸到距该周边至少5mm内，其中该表面层在至少5微米的深度内基本上没有缺陷；以及一包含该主要材料而不包含该次要材料的主体层，该主体层与该表面层邻接并延伸通过该中心平面，其中该主体层包括密度至少为大约1×107沉淀物/cm3的氧沉淀物。
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