[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510073208.7 | 申请日： | 2002-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN1716588A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 秋山和隆 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 陈海红;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体衬底上边绝缘膜的布线区域上形成第1沟，电容区域上形成宽度比第1沟宽的第2沟。而且，淀积第1导体膜使其完全填埋第1沟，填埋第2沟到中途。进而，淀积电容绝缘膜使其填埋到第2沟的中途，其上淀积第2导体膜完全填埋第2沟。研磨第2导体膜、电容绝缘膜和第1导体膜的叠层膜直到绝缘膜露出，给第1沟内埋入由第1导体膜形成的布线和给第2沟内埋入由第1导体膜、电容绝缘膜和第2导体膜构成的电容。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，其特征在于包括：半导体衬底；在该半导体衬底上边形成的绝缘膜；和在将该绝缘膜上形成的接触部作为宽度宽的布线沟中，平坦地埋入的布线；上述布线，至少在上述接触部中，由第1导体膜和覆盖其上面的一部分的第2导体膜的叠层结构构成，在上述接触部以外，仅由上述第1导体膜构成，并且，上述接触部的中央部的上述第2导体膜的上面与上述接触部以外的上述第1导体膜的上面高度相同。
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