[发明专利]半导体集成电路

摘要

本发明提供一种半导体集成电路。目的在于在不增加漏极功率的情况下，缓和晶体管的关断漏电流的影响。电压转送开关(221)、(222)以及电压输入输出电路(231)、(232)被设置在互补总线组(BUS)、(NBUS)上，以便存储单元阵列(200)的多个列所共用。互补位线组(BIT0)、(NBIT0)被预充电到规定的电压后，在属于同列的全部的存储单元(201)、(202)的任意一个被字线选择前，交换正转位线(BIT0)的电压和反转位线(NBIT0)的电压。因此，使得属于同列的所有的存储单元(201)、(202)中的存取晶体管的关断漏电流的总和，即使变得等于1个驱动晶体管的导通电流(驱动电流)，也确保了启动传感放大器(250)时互补位线组(BIT0)、(NBIT0)之间所需要的电位差。

主权项

1.一种半导体集成电路，其特征在于，包括：第1信号布线和第2信号布线，各自的漏极连接到所述第1信号布线的多个晶体管，对所述第1信号布线和第2信号布线预充电到第1电压的预充电电路，在所述预充电完成后，因所述多个晶体管的关断漏电流造成所述第1信号布线的电压变化为第2电压时，在所述多个晶体管的任意一个实际工作前，将所述第2信号布线的电压调整到所述第2电压的电压调整器，以及在所述多个晶体管的任意一个实际工作时，放大所述第1信号布线和第2信号布线之间的电位差的差动放大电路。