[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 200510073702.3 | 申请日： | 2005-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN1700825A | 公开（公告）日： | 2005-11-23 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;大沼英人;安西彩;坂仓真之;乡戶宏充 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H05B33/12 | 分类号： | H05B33/12;H05B33/08;H05B33/02;H05B33/22 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种发光器件，其中使得取决于观察发射的光所通过的表面的角度的发射光谱的变化减小。本发明的发光器件包括形成在衬底上的第一绝缘层、形成在第一绝缘层上的第二绝缘层以及形成在第二绝缘层上的半导体层。另外，形成栅绝缘层以覆盖第二绝缘层和半导体层。栅电极形成在栅绝缘层上。形成第一层间绝缘层以覆盖栅绝缘层和栅电极。开口形成在第一层间绝缘层、栅绝缘层和第二绝缘层中。形成第二层间绝缘层以覆盖第一绝缘层和开口。发光元件形成在开口上。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种发光器件，包括：形成在衬底上的第一绝缘层；形成在第一绝缘层上的第二绝缘层；形成在第二绝缘层上的半导体层；形成为覆盖第二绝缘层和半导体层的栅绝缘层；形成在栅绝缘层上的栅电极；形成为覆盖栅绝缘层和栅电极的第一层间绝缘层；形成在第一层间绝缘层、栅绝缘层和第二绝缘层中的开口；形成为覆盖第一绝缘层和开口的第二层间绝缘层；以及形成在开口上的发光元件，其中，所述开口被形成为与光路相对应，发光元件中产生的光线通过所述光路被发射到发光器件的外部。
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