[发明专利]时变容错域的感知联想记忆模型无效
| 申请号： | 200510073772.9 | 申请日： | 2005-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN1870017A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 杨国为 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G06N3/06 | 分类号： | G06N3/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明一种时变容错域的感知联想记忆模型，其特征在于，包括：5层神经元；第一层取输入元n个，记为A1，A2，Λ，An；第一隐含层有p－1个神经元组，且每组有2n个神经元，神经元顺序记为A(i)，i＝1，...，2n(p－1)；第二隐含层有个p－1神经元，顺序记为A1，A2，Λ，Ap－1；第三隐含层取p个神经元Bi，i＝1，Λ，p；输出层由m个神经元组成Ci，i＝1，Λ，m。 | ||
| 搜索关键词： | 容错 感知 联想 记忆 模型 | ||
【主权项】：
1、一种时变容错域的感知联想记忆模型，其特征在于，包括：5层神经元；第一层取输入元n个，记为A1，A2，Λ，An；第一隐含层有p-1个神经元组，且每组有2n个神经元，神经元顺序记为A(i)，i＝1，...，2n(p-1)；第二隐含层有个p-1神经元，顺序记为A1，A2，Λ，Ap-1；第三隐含层取p个神经元Bi，i＝1，Λ，p；输出层由m个神经元组成Ci，i＝1，Λ，m。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510073772.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
