[发明专利]一种微腔量子级联激光器的制作工艺无效
| 申请号： | 200510073773.3 | 申请日： | 2005-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN1870367A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 路秀真 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种微腔量子级联激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(A)先在量子级联激光器材料上沉积二氧化硅；(B)然后光刻、湿法腐蚀二氧化硅，露出所需电极形状；(C)沉积电极；(D)进行二次套刻，形成微腔激光器的外部形状；(E)分步湿法腐蚀，得到所需的电极、台面和支架。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 级联 激光器 制作 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种微腔量子级联激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(A)先在量子级联激光器材料上沉积二氧化硅；(B)然后光刻、湿法腐蚀二氧化硅，露出所需电极形状；(C)沉积电极；(D)进行二次套刻，形成微腔激光器的外部形状；(E)分步湿法腐蚀，得到所需的电极、台面和支架。
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