[发明专利]半导体装置及其制法、集成电路、电光学装置、电子仪器有效
| 申请号： | 200510073784.1 | 申请日： | 2005-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN1728336A | 公开（公告）日： | 2006-02-01 |
| 发明（设计）人： | 安部大介 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在薄膜晶体管等半导体装置中，提供一种能避免在半导体膜边缘部分中电场集中，并提高可靠性的技术。本发明半导体装置的制造方法，包括：第一工序，在绝缘基板(10，11)上形成岛状半导体膜(12)；第二工序，将包括半导体膜(12)边缘部分在内的半导体膜(12)，用第1绝缘膜(13)覆盖；第三工序：将半导体膜(12)上部的第1绝缘膜(13)避开该半导体膜的边缘部形成开口；第四工序，至少在绝缘膜(13)开口部的半导体膜(12)上形成比第1绝缘膜(13)厚度相对薄的第2绝缘膜(14)；和第五工序，在第2绝缘膜(14)上形成电极配线膜(18)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制法 集成电路 光学 电子仪器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：第一工序，在绝缘基板上形成岛状半导体膜；第二工序，将包括上述半导体膜边缘部在内的上述半导体膜，用第1绝缘膜覆盖；第三工序，将上述半导体膜上部的第1绝缘膜，避开该半导体膜的边缘部而形成开口；第四工序，至少在上述绝缘膜开口部的半导体膜上，形成比上述第1绝缘膜厚度相对薄的第2绝缘膜；和第五工序，在上述第2绝缘膜上形成电极配线膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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