[发明专利]半导体激光装置有效
| 申请号： | 200510073803.0 | 申请日： | 2005-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN1702929A | 公开（公告）日： | 2005-11-30 |
| 发明（设计）人： | 渡辺昌规;川户伸一;松本晃广 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/22;H01S5/30;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李贵亮;杨梧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体激光装置，根据本发明的半导体激光装置，脊部(150)构成波导路，波导光沿脊部(150)被波导，该波导光的下部也存在于第一侧部(151)，但第二侧部(152)构成未达到所述波导光下面的区域。另一方面，由脊部(150)产生的散射光经由第一侧部(151)，在第二侧部(152)进行扩展，但在该第二侧部(152)上，由于在第一包层(108)上形成有成为光吸收体的光吸收层(127)，故散射光被吸收。通过由该第二侧部(152)吸收散射光，降低放射光的波动。另外，由于使光吸收层(127)与p侧欧姆电极(125)层电接触，故可避免向光吸收层(127)蓄积电荷的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 装置 | ||
【主权项】：
1、一种半体激光装置，其特征在于，包括：脊部，其依次层积下包层、活性层、第一上包层、第二上包层以及电极层；第一侧部，其配置于所述脊部的两外侧，同时，依次层积所述下包层、所述活性层、所述第一上包层以及折射率比所述第一上包层小的埋入层；第二侧部，其配置于所述第一侧部的两外侧，同时，依次层积所述下包层、所述活性层、所述第一上包层以及所述光吸收层，所述光吸收层与所述电极层电接触。
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