[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510073840.1 | 申请日： | 2005-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN1716607A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 石塚典南;田中顺;岩崎富生;太田裕之 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/78;H01L21/8234;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 岳耀锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体器件及其制造方法，抑制半导体器件的栅电极端部的衬底中产生的位错。具有在半导体衬底的主表面上形成的多个元件形成区，位于上述元件形成区之间且嵌入有上述元件隔离绝缘膜的元件隔离沟槽，在上述元件形成区形成的栅绝缘膜和上述栅电极和上述栅电极的上方形成的多个布线层；上述元件隔离沟槽具有在上述半导体衬底和上述元件隔离绝缘膜之间形成的热氧化膜；上述元件隔离绝缘膜内部含有多个微细孔隙，比上述热氧化膜孔隙更多地形成上述元件隔离绝缘膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，其特征在于，包括：在半导体衬底的主表面上形成的多个元件形成区；位于上述元件形成区之间、且嵌入有元件隔离绝缘膜的元件隔离沟槽；以及在上述元件形成区上形成的栅绝缘膜，上述元件隔离沟槽具有在上述半导体衬底和上述元件隔离绝缘膜之间形成的热氧化膜；上述元件隔离绝缘膜内部含有多个微细孔隙且比上述热氧化膜具有更多孔隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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