[发明专利]用于半导体衬底上的金属层和图形的腐蚀－抑制清洗组合物无效
| 申请号： | 200510073964.X | 申请日： | 2005-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN1700425A | 公开（公告）日： | 2005-11-23 |
| 发明（设计）人： | 李光旭;黄寅奭;李锦珠;高镛璇;宋昌笼;白贵宗;韩雄 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;高科技实美化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/311;H01L21/3213;C11D7/32;C11D7/00;C11D3/00;C11D1/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于半导体晶片处理的腐蚀－抑制清洗组合物，包含约0.5wt％至约5wt％的浓度范围的双氧水、约1wt％至约10wt％的浓度范围的硫酸、约0.01wt％至约1wt％的浓度范围的氢氟酸；约0.1wt％至约5wt％的浓度范围的唑和去离子水。在清洗工序过程中，唑通过与金属层表面螯合抑制待清洗金属层被腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 衬底 金属 图形 腐蚀 抑制 清洗 组合 | ||
【主权项】：
1、一种用于半导体片处理的腐蚀-抑制清洗组合物，包括至少一种金属刻蚀剂、第一和第二氧化物刻蚀剂、唑和水的含水混合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
