[发明专利]像素阵列结构无效
| 申请号： | 200510073967.3 | 申请日： | 2005-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN1866324A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | 吴沂庭;龙赞伦;郑志鸿;白观得 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G09F9/30 | 分类号： | G09F9/30;H01L51/00;H01L21/00;H05B33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种像素阵列结构，此结构包括：多个像素单元；以及多个介电墙，每一介电墙位于相邻两像素单元之间，其中每一像素单元包括：一有机发光二极管，且此有机发光二极管具有一透明电极、一下电极以及位于透明电极与下电极之间的一发光材料，以及一互补式金属氧化物半导体，其位于一基底中，此基底上有包含一最上金属层的一上金属层结构，且有机发光二极管的下电极是此上金属层结构的最上金属层，且最上金属层是一钛金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 阵列 结构 | ||
【主权项】：
1、一种像素结构，包括：一有机发光二极管，该有机发光二极管具有一透明电极、一下电极以及位于该透明电极与该下电极之间的一发光材料；以及一互补式金属氧化物半导体，位于一基底中，其中该基底上有包含一钛金属层作为一最上金属层的一上金属层结构，且该下电极是该最上金属层，该互补式金属氧化物半导体经由该上金属层控制该有机发光二极管。
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