[发明专利]处理光束的方法、激光照射装置以及制造半导体器件的方法有效
申请号: | 200510074007.9 | 申请日: | 2001-09-01 |
公开(公告)号: | CN1697144A | 公开(公告)日: | 2005-11-16 |
发明(设计)人: | 田中幸一郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/20;H01L21/00;G02F1/01;G02F1/35;B23K26/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 梁永 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 用于照射待热处理的非单晶半导体膜上的激光束能量是均匀分布的。从诸如YAG激光器的固体激光器获得的激光束,其中YAG激光器容易在基于简单分开和合并激光束的常规方法的光学系统中导致干涉,但是与受激准分子激光器相比可以维持较低的成本。固体激光器可以通过准直偏振面振荡形成激光束。通过利用一个λ/2片形成偏振方向彼此独立的两激光束,并通过一个阶梯形的石英块进一步形成多个激光束,并行进不同的光程。这些激光束通过光学系统在照射面上或其附近合并成一束,由此形成一个干涉性被有效地限制、并且能量分布高度均匀的均匀激光束。 | ||
搜索关键词: | 处理 光束 方法 激光 照射 装置 以及 制造 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种制造半导体器件的方法,包括以下步骤:在一个衬底上形成一个半导体膜;振荡激光束;在垂直于激光束行进方向的第一方向上把该激光束分成两束激光束,该两激光束具有相互独立的偏振方向;在垂直于第一方向的第二方向上把该两激光束分成多束激光束,该多束激光束具有彼此不同的光程;和在照射平面上或其附近把该多个激光束合并成一束激光束;和用所述合并的一束激光束照射以结晶所述半导体膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造