[发明专利]半导体存储装置的数据写入电路以及数据写入方法

摘要

本发明提供一种半导体存储装置的数据写入电路及数据写入方法。包括：多比特译码器&数据锁存电路，用于对作为分别写入到多比特的多个存储器单元内的多个数据的、根据输入多比特地址(MBA)的变更而被顺序输入的数据(DQ)顺序执行锁存；列译码器，用于按照输入地址(ADD)内的列地址，将上述锁存的多个数据分别施加到上述多个存储器单元的源极上；以及，单元漏极电压发生器，在上述多个数据全部被锁存、并被施加给上述多个存储器单元的源极后，将用于数据写入的高的单元漏极电压(CDV)(约5.0[V])同时施加给上述多个存储器单元的漏极，并将上述多个数据分别写入上述多个存储器单元。

主权项

1.一种可以执行通过一次写入操作而将数据写入到多个存储器单元内的多比特写入的半导体存储装置的数据写入电路，其特征在于，包括：数据锁存单元，用于对分别写入到上述多个存储器单元内的多个数据、即随着输入多比特地址的变更而被顺序输入的数据顺序执行锁存；列译码器单元，用于按照输入列地址，将在上述数据锁存单元内锁存的上述多个数据分别施加到上述多个存储器单元的源极；以及单元漏极电压生成单元，在上述多个数据被全部锁存之前，事先将不执行数据写入的低单元漏极电压施加到上述多个存储器单元的漏极，在上述多个数据全被锁存并施加到上述多个存储器单元的源极后，将用于数据写入的高单元漏极电压同时施加到上述多个存储器单元的漏极，以将上述多个数据分别写入到上述多个存储器单元内。