[发明专利]静电保护电路及使用它的半导体集成电路器件有效
申请号: | 200510074623.4 | 申请日: | 2005-05-25 |
公开(公告)号: | CN1702860A | 公开(公告)日: | 2005-11-30 |
发明(设计)人: | 佐藤项一 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L23/60 | 分类号: | H01L23/60;H01L27/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 沈昭坤 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明揭示一种静电保护电路及使用静电保护电路的半导体集成电路器件,包含第1节点15;与前述第1节点15电气隔离的第2节点13;在供给触发信号时形成从前述第1节点至第2节点的放电路径的ESD保护电路20;以及具有MOS元件17、在该MOS元件导通时对前述ESD保护电路供给触发信号的触发电路19,前述MOS元件17包含在前述第1与第2节点之间连接的被保护电路内,源极或漏极的一方与前述第1节点连接,在没有加上ESD电压的通常动作时,起到作为前述被保护电路的一部分的功能,同时在对前述第1节点加上ESD电压时,漏极与源极间导通。 | ||
搜索关键词: | 静电 保护 电路 使用 半导体 集成电路 器件 | ||
【主权项】:
1.一种静电保护电路,其特征在于,包含第1节点;与所述第1节点电气隔离的第2节点;具有触发端、并在对该触发端供给触发信号时形成从所述第1节点至第2节点的放电路径的ESD保护电路;以及具有第1MOS元件、并在该第1MOS元件导通时对所述ESD保护电路的触发端供给触发信号的触发电路,所述第1MOS元件包含在所述第1与第2节点之间连接的被保护电路内,源极或漏极的一方与所述第1节点连接,在不加上ESD电压的通常动作时,起到作为所述被保护电路的一部分的功能,同时在对所述第1节点加上通常动作时所加的规定值以上的ESD电压时,漏极与源极之间导通。
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