[发明专利]读取闪存装置的方法无效
| 申请号： | 200510074676.6 | 申请日： | 2005-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN1776823A | 公开（公告）日： | 2006-05-24 |
| 发明（设计）人： | 金德柱 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/26;G11C7/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临;王志森 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种读取闪存装置的方法，其中预定单元的状态的读取方式为：将经由多个位线连接至存储单元阵列的多个分页缓冲器分成至少两组，并且这些分页缓冲器以组为基础相继被驱动。避免了因所有分页缓冲器同时运作产生过度电流消耗而引起的功率损耗问题。因此，本发明所揭示的方法可防止由于功率损耗而产生错误操作。 | ||
| 搜索关键词： | 读取 闪存 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种读取闪存装置的方法，其包含：将多个分页缓冲器分成至少两组，这些分页缓冲器经由多个位线连接至存储单元阵列；及以组为基础相继驱动这些分页缓冲器，以读取预定单元的状态。
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