[发明专利]开关电路及半导体装置无效
| 申请号： | 200510074705.9 | 申请日： | 2005-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN1705231A | 公开（公告）日： | 2005-12-07 |
| 发明（设计）人： | 中塚忠良;福本信治 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H03K17/62 | 分类号： | H03K17/62;H03K17/687 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种开关电路及半导体装置。在由设有3个栅极的多栅极FET即第一FET(101)、第二FET(102)构成的2输入1输出型高频开关电路中，第一FET(101)的第一栅极(51A)到第三栅极(51C)和第二FET(102)的栅极间区域(402A)、栅极间区域(402B)分别与第一控制布线(701)连接；第二FET(102)的第一栅极(52A)到第三栅极(52C)和第一FET(101)的栅极间区域(401A)、栅极间区域(401B)分别与第二控制布线(702)连接。因此，在使用多栅极FET的情况下，也能实现防止高频信号的绝缘性恶化、谐波失真特性恶化，接通状态中的插入损耗小的开关电路。 | ||
| 搜索关键词： | 开关电路 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种高频开关电路，包括：输出入高频信号的多个输出入端，和接通、切断所述输出入端间的电连接的开关部，所述开关部，由在互相留着间隔设在半导体层上的源极和漏极之间设有多个栅极的多栅极场效应晶体管构成，偏压施加在所述半导体层中的所述各栅极间的区域即栅极间区域，其特征在于：在所述多栅极场效应晶体管处于导通状态的情况下，所述偏压低于等于使所述多栅极场效应晶体管成为导通状态的高电平电压的90％，在处于截止状态的情况下，高于等于所述高电平电压的80％且低于等于所述高电平电压。
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