[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200510074755.7 | 申请日： | 2005-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN1705081A | 公开（公告）日： | 2005-12-07 |
| 发明（设计）人： | 岸下景介 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的一个目的是在正常操作或测试操作的所需操作温度范围内进行操作半导体器件。半导体器件100包括温度传感器部分110，其用于检测温度并在温度等于或低于T度时输出生热指令以及在温度等于或高于T′度时输出生热停止指令，以及根据温度传感器110的生热指令/生热停止指令执行/停止生热的生热部分120。即使半导体器件周围的温度低，所述半导体器件100也能不受其影响地保持在特定温度或更高。此外，当半导体器件周围的温度上升时，不产生热量。因此，能够防止由于高温或低温所引起的误动作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：温度检测器，其根据正常操作中检测到的所述半导体器件的温度输出用于给出生热或不生热指令的控制信号；和生热器，其响应所述控制信号进入生热状态或不生热状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
