[发明专利]形成薄膜晶体管的方法有效
| 申请号： | 200510074758.0 | 申请日： | 2005-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN1688018A | 公开（公告）日： | 2005-10-26 |
| 发明（设计）人： | 张钧杰;陈佳榆 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例揭露一种于一基板上形成薄膜晶体管的方法，包括形成一图案层于基板上；形成一栅极介电层，包覆该图案层；形成一第一导电层于该图案层上的栅极介电层上；形成一层间介电层于该第一导电层与该栅极介电层上；形成一透明氧化物图案于该层间介电层上；一蚀刻步骤，对该层间介电层与该栅极介电层进行蚀刻；一掺杂步骤，对该图案层作一高浓度的掺杂以形成源/漏极；以及形成分别接触该源/漏极的第二导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 薄膜晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成薄膜晶体管的方法，该薄膜晶体管位于一基板上，该方法包括：形成一图案层于该基板上；形成一栅极介电层，包覆该图案层；形成一第一导电层于该图案层上的栅极介电层上；形成一层间介电层于该第一导电层与该栅极介电层上；形成一透明氧化物图案于该层间介电层上；进行一蚀刻步骤，对该层间介电层与该栅极介电层进行蚀刻；进行一掺杂步骤，对该图案层作一高浓度的掺杂，分别形成一源极及一漏极；以及分别形成接触该源极及该漏极的第二导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
