[发明专利]半导体元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510074788.1 | 申请日： | 2005-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN1873955A | 公开（公告）日： | 2006-12-06 |
| 发明（设计）人： | 陈能国;蔡腾群 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/31;H01L21/265;H01L27/092;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件的制造方法，此方法先提供一基底，基底上至少已形成有一P型金属氧化物半导体晶体管以及一N型金属氧化物半导体晶体管。于基底上形成介电层，至少覆盖住P型金属氧化物半导体晶体管以及N型金属氧化物半导体晶体管，此介电层具有第一拉伸应力。之后，于基底上形成光致抗蚀剂层，暴露出P型金属氧化物半导体晶体管上的介电层。接着，以光致抗蚀剂层为掩模，对P型金属氧化物半导体晶体管上的介电层进行离子注入工艺，以使此部分的介电层具有第二拉伸应力，其中，第二拉伸应力小于第一拉伸应力。然后，再移除光致抗蚀剂层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体元件的制造方法，其步骤包括：提供一基底，该基底上至少已形成有一P型金属氧化物半导体晶体管以及一N型金属氧化物半导体晶体管；于该基底上形成一介电层，至少覆盖住该P型金属氧化物半导体晶体管以及该N型金属氧化物半导体晶体管，该介电层具有一第一拉伸应力；于该基底上形成一光致抗蚀剂层，暴露出该P型金属氧化物半导体晶体管上的该介电层；以该光致抗蚀剂层为掩模，对该P型金属氧化物半导体晶体管上的该介电层进行一离子注入工艺，以使该P型金属氧化物半导体晶体管上的该介电层具有一第二拉伸应力，其中，该第二拉伸应力小于该第一拉伸应力；以及移除该光致抗蚀剂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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