[发明专利]识别程序化及抹除存储单元中的逻辑信息的方法有效
| 申请号： | 200510074790.9 | 申请日： | 2005-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN1713372A | 公开（公告）日： | 2005-12-28 |
| 发明（设计）人： | 吴昭谊;李明修;徐子轩 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115;G11C11/40;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种于存储单元中识别逻辑信息的方法，尤其是一种单边读取架构的通过热空穴注入氮化物电子储存层以程序化(programming by hot hole injectionnitride electron storage，PHINES)存储单元。此方法包括以下步骤：通过增加一局部临界电压至一特定值以抹除PHINES存储单元的第一储存电荷区和第二储存电荷区；通过热空穴注入以程序化PHINES存储单元的第一储存电荷区和第二储存电荷区中至少其中一个储存电荷区；通过测量第一储存电荷区和第二储存电荷区之一的输出电流，以读取PHINES存储单元的逻辑状态。其中，第一储存电荷区和第二储存电荷区中储存不同的热空穴量之间的作用造成不同的输出电流量，以使PHINES存储单元的逻辑状态可通过单边读取架构判断。 | ||
| 搜索关键词： | 识别 程序化 存储 单元 中的 逻辑 信息 方法 | ||
【主权项】：
1.一种通过热空穴注入氮化物电子储存层以程序化存储单元中读取逻辑信息的方法，该通过热空穴注入氮化物电子储存层以程序化存储单元简称为PHINES存储单元，其具有一第一电极、一第一储存电荷区、一第二电极、一第二储存电荷区，该两电极之间有一通道，并且具有一位于该通道上方的栅极，一ONO栅极电介质层将该通道与该栅极分隔开，该方法包括：抹除该第一储存电荷区以及该第二储存电荷区使得一临界电压到达一特定值；测量该PHINES存储单元的该第一电极以及该第二电极二者之一的一输出电流；以及分析该输出电流，并且通过该输出电流量以识别多个存储单元状态，其中每一个状态代表PHINES存储单元逻辑信息控制2的X次方的状态可以实现X位的存储器，X为正整数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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