[发明专利]磁盘及其制造方法和磁记录装置无效

专利信息
申请号: 200510074878.0 申请日: 2005-06-03
公开(公告)号: CN1801335A 公开(公告)日: 2006-07-12
发明(设计)人: 堀笼茂;荒井贵 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: G11B5/84 分类号: G11B5/84;G11B5/851;G11B5/66;G11B5/82
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 陈坚
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 在形成底层的步骤中,在绝缘基底被由导电材料制成的支撑件支撑的同时形成底层。在形成记录层的步骤中,所述绝缘基底保持被支撑。可移动电极被推动以与绝缘基底的端面接触。通过溅射工艺形成记录层,同时施加负偏压。由于底层形成在基底的端面上,因此可移动电极与底层之间的电传导良好。此外,形成在基底表面上的底层跨接到支撑弹簧的接触部分的一部分。因此,支撑弹簧和底层被电连接。一偏压通过可移动电极和支撑弹簧被施加给所述底层。
搜索关键词: 磁盘 及其 制造 方法 记录 装置
【主权项】:
1、一种磁盘制造方法,其包括:第一步骤,在由多个基底支撑件支撑的绝缘基底的表面上形成导电层,该多个支撑件由导电材料制成且连接到一导电支架;和第二步骤,在向所述导电层施加负偏压的同时,通过溅射工艺在所述导电层上形成记录层;其中,在第二步骤中,一可移动电极与所述绝缘基底的端面上的导电层相接触,该绝缘基底由所述基底支撑件支撑,且在通过所述可移动电极和基底支撑件向所述导电层施加偏压的同时形成所述记录层。
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