[发明专利]电荷捕捉非挥发性记忆体及其操作方法

摘要

本发明是有关于一种多重闸极记忆胞，包括半导体主体、多数个闸极，这些闸极串联排列在半导体主体上。在半导体主体上的电荷储存结构包括位于多数个闸极中的闸极下方的电荷捕捉区域。第一电路系统，用以传导源极偏压与汲极偏压至记忆胞列中第一闸极附近与最终闸极附近的半导体主体。第二电路系统，用以传导闸极偏压至多数个闸极。包括连续的多重闸极通道区，此多重闸极通道区位于记忆胞列中多数个闸极下方。在一些或全部的闸极之间，此多重闸极记忆胞具有电荷储存区。

主权项

1.一种集成电路记忆体元件，包括：一半导体主体；多数个闸极，串联排列于该半导体主体上，以多数个隔离构件隔离相邻之该些闸极，该些闸极形成一闸极列，该些闸极包括该闸极列中之一第一闸极与一最终闸极；一电荷储存结构，配置于该半导体主体上，该电荷储存结构包括多数个电荷捕捉区域，该些电荷捕捉区域位于该串列中超过一个该些闸极下方；一第一电路系统，用以传导源极偏压与汲极偏压至该闸极列中该第一闸极附近与该最终闸极附近之该半导体主体；以及一第二电路系统，用以传导闸极偏压至该些闸极；其中该半导体主体包括连续的一多重闸极通道区，该多重闸极通道区位于该闸极列中该些闸极之下，且该多重闸极通道区具有n型导电性与p型导电性其中之一。